根據他的選擇,2020年Intel第一大技術創新是Lakefield處理器上的Foveros 3D堆棧,這是一種新的3D封裝技術,可以把不通工藝的IP核心封裝在一起,Lakefield的5核心就是1個大4小,分別使用瞭10nm、22nm工藝的。

第二個創新是Tiger Lake上首發的10nm SuperFin工藝,這也是今年Intel在CPU工藝上最重要的一次進步,使用瞭全新的Super MIM器件,號稱實現瞭單節點內最大的性能提升,超過15%。

雖然很多人看工藝數字都覺得Intel的10nm SF工藝不如臺積電7nm、5nm先進,但是別忘瞭,Intel在半導體技術上的根底還在,10nm工藝的創新確實不少。

第三大創新就是矽基光電子,帶寬是PCIe 6.0的6倍,這也是Intel佈局未來半導體技術的一個重點領域,光電子技術也很領先,隻是現在還沒大規模商業化。

其他還有3條新技術,分別涉及低溫工藝、A,MX指令集及Statix 10 NX FPGA芯片等,相比前面三條更加專業。

Source: m.cnbeta.com