據悉,相關成果已經在第66屆IEDM國際電子器件大會上在線發表。

報道提到,工藝制程提升到5nm節點以下後,傳統晶體管微縮提升性能難以為繼,需要做重大革新。於是GAA晶體管乘勢而起,它可實現更好的柵控能力和漏電控制。

此番周鵬團隊設計並制備出超薄圍柵雙橋溝道晶體管,驅動電流與普通MoS2晶體管相比提升超過400%,室溫下可達到理想的亞閾值擺幅(60mV/dec),漏電流降低瞭兩個數量級。

據悉,GAA晶體管也被譯作“環繞柵極晶體管”,取代的是華人教授胡正明團隊研制的FinFET(鰭式場效應晶體管)。按照目前掌握的資料,三星打算從2022年投產的第一代3nm就引入GAA晶體管,臺積電略保守,3nm仍是FinFET,2nm開始啟用GAA。

另外,中芯國際梁孟松日前也披露,該公司的5nm和3nm的最關鍵、也是最艱巨的8大項技術也已經有序展開, 隻待EUV光刻機的到來,就可以進入全面開發階段。

雙橋溝道晶體管示意圖及其性能圖

Source: m.cnbeta.com