2016年,Intel推出瞭第一代32層堆疊TLC閃存,次年翻番到64層並進化為TLC顆粒,存儲密度提高瞭133%,2019年來到96層,存儲密度提高約50%,而如今的144層再次將存儲密度提高瞭約50%。

僅僅5年的時間,Intel就將閃存存儲密度增加瞭超過4倍,單位成本自然也是成倍降低。

雖然很多人對QLC不屑一顧(就像當初對TLC),不過Intel強調,如今的QLC閃存已經在平均故障間隔時間、平均溫度、質保壽命、不可修復錯誤率(UBER)、數據持久性等質量與可靠性指標上看齊TLC,並且兼容同樣的集成電路設計,大大簡化升級換代。

而最新的144層堆疊對比兩年前的64層堆疊,可靠性、最大寫入量已經提升4倍,讀取負載QoS提升最多50%,底層寫入性能提升最多40%。

回到產品層面,SSD D7-P5510主要針對雲存儲應用,采用15m 2.5英寸U.2形態,容量3.84TB、7.68TB,持續讀寫性能最高7000MB/s、4194MB/s,比上代(D7-P4510)提升118%、35%,4K隨機讀寫性能最高930K IOPS、190K IOPS,比上代提升45%、41%,混合隨機讀寫性能400K IOPS,比上代提升50%,讀寫延遲86us、16us,比上代提升14%。

另外,它支持每天一次全盤寫入(上代0.85次),而且特別值得一提的是,TRIM恢復時間從超過30秒縮短到不足0.1秒,也就是暫停讀寫的幾乎一瞬間,就能恢復滿血狀態。

技術特性方面支持改進的健康監控與管理、動態多重命名空間、針對雲負載優化的新算法、端到端數據保護、意外掉電保護、企業級安全等。

以下是和競品PCIe 4.0 SSD的對比,看看就好。

SSD D5-P5316則有U.2 15mm、E1.L兩種形態,後者最大容量可達驚人的30.72TB,主要面向熱存儲而優化。

它的持續讀取性能最高為6.8GB/s,比上代(D5-P4326)提升2倍多,4K隨機讀取最高800K IOPS,比上代提升38%,但未公佈寫入性能。

壽命方面,支持3000次編程/擦寫循環,30.72TB型號的終身最大寫入量為18940TB,是上代的4倍多。

利用該SSD,數據中心廠商可以在1U服務器內實現405TB(U.2)或者1PB(E1.L)的總存儲容量,從而大大降低TCO成本。

Intel SSD D7-P5510將在本季度出貨,SSD D5-P5316明年上半年出貨,價格均未公開。

Source: m.cnbeta.com