資料圖,via ScienceDirect(來自:MIT News)

研究一作 Xiaowei Cai 解釋稱,晶體管應該可以像開關那樣工作,並在接通電壓後產生預期中的大量電流。

但若遭遇電子束縛,就會發生即使接通瞭電壓,其中也隻有相當有限的電流經過的情況。當遇到這種氧化物陷阱時,晶體管的性能就會受到極大的影響。

好消息是,通過審視晶體管的頻率依賴性(即電子脈沖通過晶體管的傳輸速率),我們得以找到問題所在。

盡管在較低的頻率下,納米級 InGaAs 晶體管的性能似乎出現瞭滑坡,但它還是能夠在 1GHz 或更高頻率下正常工作。

Cai 補充道,當以很高的頻率操作這些設備時,我們留意到其性能表現確實相當出色,較矽晶體管展現出瞭相當高的競爭潛力。

據悉,Cai 將在本月的 IEEE 國際電子設備會議上詳細介紹這項新發現。不過受 COVID-19 大流行的影響,會議形式已改成瞭在線上舉辦。

Source: m.cnbeta.com